硫酸銅めっき（プリント基板用）のハルセル試験で、平均電流密度を変化させた場合の電流分布の変化を調べています。カソードの電流−電位曲線は非線形の ターフェル式を用いており、繰り返し計算が必要です。 さらに、おのおのの平均電流になるように総電流も収束させる必要があり、この二重の収束を一度に行っ ています。カソード要素に属する節点に、銅の材料特性値とめっき皮膜の成長方向を指定しさらに、めっき時間を設定することにより、求めた電流密度から皮膜 の膜厚まで算出しています。合金組成計算の事例も入っていますので、非線形関係の定義方法、合金組成のデータの与え方などを参照してください。 |
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●解析条件
●平均電流密度とめっき時間
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モデル形状
解析結果
●等電位線図
平均電流密度 0.5A/dm2
平均電流密度 1A/dm2
平均電流密度 2A/dm2
平均電流密度 3A/dm2
●電流ベクトル図
平均電流密度 0.5A/dm2
平均電流密度 1A/dm2
平均電流密度 2A/dm2
平均電流密度 3A/dm2
●カソードの電流分布 膜厚分布 過電圧分布
 カソードの電流分布 |
 カソードの膜厚分布 |
合金析出比率
３成分の合金めっきを行った場合に、電流密度の関数として析出比率をテーブルで持つことにより各位置での合金組成を計算した例です。
●析出比率の定義
 成分１の析出比率(y)と電流密度［A/dm2］(x) |
 成分２の析出比率(y)と電流密度［A/dm2］(x) |
成分３の析出比率＝ １−（成分１＋成分２)
●めっき皮膜の合金組成
 平均電流密度 0.5A/dm2 |
 平均電流密度 1A/dm2 |
 平均電流密度 2A/dm2 |
 平均電流密度 3A/dm2 |